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지난 1월 31일부터 2월 2일까지 세미콘코리아가 열렸습니다.
반도체 강국에서 열리는 규모있는 박람회이기 때문에 늘 많은 관심이 집중 되는 행사인데요
이때 이오테크닉스에서는 사진으로 장비들을 소개했습니다.
오늘 글에서는 전시한 장비들을 하나씩 살펴 보려고 합니다.
이전 글을 읽으시면 장비 이해에 보다 더 도움이 될 것입니다.
틀린 내용이나 첨언 해주실 내용 있으면 언제든 댓글 부탁드립니다.
1.이오테크닉스의 세미콘 공개 장비 분석
- 먼저, 아래에 공개된 장비들은 실제로 양산되고 있거나 양산될 제품이라고 함 (세미콘 방문 시 질문한 내용).
- 아직 파라미터를 잡고 있거나, 개발중이거나, 퀄 진행중인 장비들은 공개를 안한것으로 추정.
- 이전 글에서 언급한 내용들이 다소 포함 되어 있음.
- 레이저 장비 분석을 하면서 확인한 가장 중요한 포인트는 이전 글에서도 언급하였지만 레이저 기술이 내재화 되어 있으면 그것을 기반으로 수많은 장비들이 파생되어 탄생 될 수 있다는 것임.
- 사실상 장비의 종류도 많고 쓰임도 매우 다양하지만 그것은 사용자 입장에서의 구분이고 장비를 만드는 입장에서는 거의 유사한 기술을 가지고 약간의 응용만 거치면 되는 부분임.
- 따라서 가장 난이도 높은 영역의 장비가 글로벌 업체에 선택되었다면 그밖의 장비도 고객사의 필요에 따라 이어달리기가 자연스럽게 이어지는 구조임.
1-1. 레이저어닐링
- 레이저 어닐링은 DRAM 1z이후 부터 본격적으로 사용 중이며 미세화와 함께 성장하는 장비임.
- 디램1b공정 이후 부터는 기존보다 공정 STEP 증가에 따라 장비대수가 확연히 늘어날 수 있음.
- 디램의 미세화 1x -> 1y(18nm) -> 1z(16nm, 삼성전자 EUV활용 시작, 마스킹 1개, sk하이닉스는 1z까지 EUV 사용 안하고 1a에서 1개 레이어 사용 추정, 마이크론은 1z와 1a 모두 EUV 사용 안함, 1c부터 EUV를 마이크론은 사용 예정) -> 1a(14nm, 2023년, 마스킹 5개로 증가) -> 1b(12nm, 2024년)으로 선폭이 줄어듬
- HBM라인에도 레이저 어닐링 장비는 필수적으로 쓰이며 삼성에는 이오테크닉스가 독점적으로 납품 중이고 H사에 납품 중인 타사의 레이저 어닐링 장비의 핵심 부품 광학계 또한 이오테크닉스에서 생산 중임.
- 마이크론도 레이저어닐링을 도입 준비 중임. 이오테크닉스가 고객사 확대 가능한 영역임.
(마이크론 향으로 레이저 어닐링 고객사가 확대 될 수 있다는 이야기는 타사에도 적용 가능하지만 해당 장비의 핵심 부품을 이오테크닉스에서 생산 중이기 때문에 가능성 측면에서는 이오테크닉스가 더 높아 보임.)
- 레이저 어닐링 장비는 기존의 디램에서 낸드, 비메모리, 전력반도체 향으로도 어플리케이션 및 고객사 확대 가능.
-기존의 Flash Lamp 기반 장비에서 DPSS로 가게되면 P의 증가가 상당할 것으로 추정. 그럼에도 유지 보수 비용이 큰폭으로 줄어 들고 (Flash 는 램프 등을 교환해야 하기 때문), 성능은 좋아지기 때문에 결국에는 DPSS 장비가 레이저 어닐링 분야에서는 성장의 포인트 임.
-이번 세미콘에서 레이저어닐링은 2가지 장비가 눈에 띔
1)SiC어닐링
2)IGBT어닐링
2-1-1. SiC어닐링
-공개된 이오테크닉스의 장비는 Remarkable WPH(시간당 웨이퍼 처리 Wafer Per Hour, 속도랑 관련됨)라고 표현됨. 시간당 웨이퍼 처리속도가 뛰어남을 의미하며 양산성과 수율에 연관됨.
-기존에 Sumitomo(스미토모)가 장악했던 SiC어닐링장비 시장에 대해 진출.
- SiC 웨이퍼의 전면부 공정 이후 후면 공정을 할 때 미세패턴에 Hear affected를 최소화하기 위해 SiC 웨이퍼와 금속 계면에 레이저를 선택적으로 조사해 ohmic contact을 형성해 줌.
출처: 스미토모 홈페이지
-주로 차량용 전력반도체향으로 사용되고 있으며, 이미 2004년 IGBT향, 2014년 SiC향으로 생산하고 있음.
-스미토모의 홈페이지에 고객사를 위해 고려할 사항을 일목요연하게 정리해놓음(출처: Selecting the laser source for SiC laser annealing equipment, an essential technology for manufacturing power semiconductors｜Laser Annealing｜Solution｜Solutions｜Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Mechatronics Division (shi-mechatronics.jp) )
-키워드를 뽑아보면 SiC전력반도체 영역에서도
1)Wafer thinning: 웨이퍼가 얇아짐
2)Heat damage: 열손상 최소화 위해 UV 레이저 사용 -> 피코초, 펨토초 기반 레이저와 궤를 같이 할 수 있음
3)양산성을 갖춰야 함 -> WPH(Wafer Per Hour)가 높아야 함
-참고로 스미토모 장비의 Spec은 아래와 같음(참조: i-Tube (itube.or.kr) )
-스미토모의 장비는 웨이퍼 두께가 150um영역에서 사용되는 것 같음. 물론 최신데이터는 아니지만, 두꺼운 웨이퍼에서 적용. power stability가 상당히 우수하며 X,Y,Z 3축을 사용.
-SiC MOSFET에 ohmic contact를 형성 목적. 레이저 빔 형상은 bar 형태임.
-Ohmic contact은 그럼 무엇인가?
-재료공학에서 온 개념으로, Metal과 반도체 사이의 접합분야에서 사용됨. 간단히 설명하면, 접촉면에 ohmic contact을 형성해야 반도체 소자들의 저항값을 낮춰서 소자의 성능을 형성시킬 수 있음.
-그럼 현재 레이저어닐링은 어떤 기술들이 사용중인지 알아봄. 아래는 2023년 논문으로 두가지 빔을 언급함.
1)Gaussian beam
2)Flat-top beam
출처: 아래논문
Crystals | Free Full-Text | Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review (mdpi.com)
-논문은 Gaussian beam보다 flat-top방식이 어닐링에서 많은 장점을 가지고 있다고 설명.
-두 방식을 비교해보면 이해가 쉬움. Flat-top이 에너지 균일도가 더 높음을 아래 그림으로 파악 가능함.
-다시 세미콘에서 장비 스펙 사진을 보면 이오테크닉스의 SiC어닐링 장비는 에너지 Intensity가 Flat-top(Top hat이라고도 부름)임. 즉, 라인 빔의 에너지 균일도가 높음.
-일반적으로 Gaussian beam 프로 파일은 에너지가 중앙에 쏠려 있음. Flat-top 프로파일은 에너지가 고르게 분산되어있어서 넓은 면적의 공정을 균일하게 진행하는데 장점을 가짐.
-결론부분에서 강조하는 것은 에너지밀도와 scanning overlap rate에 주목해야 하는 것. 결국은 효율과 속도가 중요하다는 말인데, Scanning이 overlapped된 영역에서 반복적으로 이뤄지는 것은 지양되어야 한다는 말과 일맥상통함.
-마지막 부분에 앞으로는 레이저어닐링이 SiC영역에서 넓게 사용될 것을 강조하고 있음.
-Sumitomo가 어떤 방식을 사용하는지 홈페이지에 들어가서 살펴봄. 스미토모도 UV광원을 사용하는 SWA-20US 장비를 보유 중.
Selecting the laser source for SiC laser annealing equipment, an essential technology for manufacturing power semiconductors｜Laser Annealing｜Solution｜Solutions｜Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Mechatronics Division (shi-mechatronics.jp)
-스미토모는 원타입으로 어닐링 공정을 하는 것으로 알려져 있음. 그러다 보니 어쩔 수 없이 원 모양 사이에 빈공간이 생겨서 위에서 설명한 overlapped 영역이 많아져 Bar형태의 조사방식 보다 수율과 생산성 속도가 떨어질 수 있음.
출처: 호떡기계 | 번개장터 (bunjang.co.kr)
-위 그림처럼 호떡을 정해진 사이즈에 굽는다고 치면 빈 공간이 많아져서 호떡을 구울 때 효율을 최대화하지 못한다는 것(굳이 비유하자면...쉽게 설명할려다 보니 ㅠㅠ).
-이오테크닉스의 장비는 Remarkable WPH라고 자신있게 첫문장에 표현되어 있는데 이 Overlapped되는 영역을 줄이는 타입으로 속도를 최대화시키지 않았을까 추정해봄 (뇌피셜 영역). 또한 위에서 설명한 Flat-top 프로파일과 Bar 조사 형태 등을 사용해 완성도와 생산성 모두에 강점이 있다고 생각.
-스미토모 홈페이지 에서는 앞으로는 레이저 어닐링은 UV레이저를 사용해야 하는 이유에 대해서 홈페이지에서 설명해주고 있음
-결국은 두꺼워지는 메탈층으로의 흡수율을 높이고 열손상을 방지하기 위해서는 UV레이저를 사용해야 함. 바로 이오테크닉스가 잘하는 영역임.
-이오테크닉스의 SiC어닐링 장비도 Multi-beam을 사용할 것으로 추정,
-레이저는
1)고출력
2) 열 피해를 막기 위한 극초단 기술(피코초/펨토초)
3)UV레이저 등 다양한 파장/주파수
를 사용하는 것이 중요함. 특히 엑시머 레이저를 사용하면 희귀가스를 많이 사용 해야함. 즉, 네온, 헬륨, 제
등을 많이 사용해야 하기 때문에 공정이 복잡해지고 단가가 올라갈 뿐만 아니라 ESG에도 반하기 때문에
IDM들은 꼭 필요한 경우가 아니면 희귀/특수 가스는 줄이려고 노력 중임.
-레이저 Pulse의 발진 주기를 임의로 조절하는 기능도 있다고 언급됨
-양산성과 유지보수비용이 매우 저렴함을 장비스펙설명에서 강조하고 있음.
2-1-2. IGBT어닐링
-IGBT 전용 Annealing 장비임. 이미 과거에 이오테크닉스가 하고 있던 장비임.
-마찬가지로 Heat damage가 없고(No thermal damage), 양산성과 유지보수 비용이 저렴함.
-현재 다수의 글로벌 전력반도체 업체와 양산을 논의하는 단계일 가능성이 높다고 추정됨.
2-2. Ablation장비
-삼성전자 파운드리와 TSMC의 선택(아래 기사 확인)으로 사실상 레이저 부문 글로벌 스탠다드 기업으로
인정 받음.
위 기사내용 요약
-레이저 그루빙‘, ‘레이저 스텔스 다이싱＇ 장비 관련 양산 평가 협약을 맺는다.
-“이오테크닉스의 장비 성능이 양산에 투입할만큼 우수하다는 평가가 있다”
-“늦어도 올 하반기에는 장비 공급이 시작될 것으로 예상“
-“디스코보다 이오테크닉스의 레이저 스텔스 다이싱 장비 성능을 더 높게 평가했다.“
-이제 개화한 시장으로 차세대 공정라인은 앞으로 레이저 장비가 필수 표준 장비가 될 가능성 높음.
(HBM3는 웨이퍼에서 수율 70% 나오지만 패키징으로 가면 50%대로 떨어짐.)
-글로벌 OSAT 기업들이 레이저장비를 가장 가시적으로 도입할 가능성이 높은 영역이 Ablation장비임.
-애플도 비전프로에 LLW를 메모리로 사용하며, 아이폰에도 LLW를 비메모리 위에 적층하는 방식으로
진행 될 것으로 추정(LLW에 대해서는 후술 예정).
- 갤럭시 S24에도 LLW 메모리 적용이 추정되고 있음
-이 경우 On-device AI에 대응하기 위해서는 3D형태로 적층이 되어야 하고(저전력 Highband data
송수신을 위해), 이를 위해서는 웨이퍼 두께는 더 얇아질 것이고 이 경우 레이저 Ablation 장비의 사용처는
더욱 확대 될 것임.
- 레이저 Ablation 장비의 upside는 추정이 무의미 할 정도로 이제 막 개화되는 큰 규모의 시장임.
2-2-1. Grooving
- 극초단 레이저 기술인 "ps & fs solution" 명시 (picosecond, femtosecond)
-"No peeling or delamination"으로 매우 자신감있는 문구를 사용함. 들뜸 현상이 적다도 아닌 없다는 의미로.
이는 선단공정에서 매우 중요한 부분. 비용과 공정 step수 와도 관계 있음.
- "No particle or debris" 가공 후 생기는 잔여물이 적다가 아니라 없음.
- Burr는 레이저 가공시 타겟 부위 주의로 열에 의해 솟아오르는 현상을 말하는 것으로 2um이하 라는 것은
그만큼 표면의 균밀도(unformity)가 높다는 것을 의미함. 펨토초로 갈수록 0 Burr에 근접해 질 수 있음.
-Bottom roughness 는 가공 후 바닥면의 조도(거칠기) 상태를 수치로 표현한 것임. 1um보다 작은 스펙임.
-레이저 가공 후 열 Damage 받은 영역 작음. 이 thermal damage도 펨토초로 갈수록 적어짐.
-HIGH STEEPNESS OF GROOVE EDGE는 사다리꼴 형태의 Groove 형태에서 상면폭과 바닥 면 폭 차이가 거의
없다고 뜻 (실제로는 있긴 하겠지만 적다는 뜻으로 이해하면 될 듯). 아래 그림 참조.
-위 설명한 내용을 도식화 하면 아래와 같음. Burr는 결국 파티클을 유발하기 때문에 중요함(낮을수록 좋음).
Bottom roughness는 표면의 거칠기와 관계가 있으므로 반도체 제조공정에서 여러모로 균일성은 중요.
- Peeling이 없다는 것도 마찬가지로 중요한 데이터임. 이 모든 데이터에서 매우 좋은 스펙을 확인.
-위에서 TSMC향으로 그루빙 장비가 채택되었다는 기사를 보면 피코초기반 레이저 장비인 것으로 보임. 혹자
는 아직 펨토초가 필요할 정도가 아니다라고 하지만, 이는 어플리케이션별로 웨이퍼의 두께가 다르기 때문임.
펨토초가 필요한 영역이 있고, 피코초로도 가능한 영역은 있으나, 펨토초로 가면 갈수록 좋은 방향성.
2-2-2. Stealth Dicing (이오테크닉스는 Si Internal Dicing이라 명명)
-공정장비 대부분들은 X,Y,Z 3축 방향으로 정밀하게 움직일 수 있는 STAGE 기술들과 함께함. 이 다이싱 장비도
Stage 위에 레이저 헤드와 웨이퍼를 올려놓고 자르는 방식으로 추정됨.
-빠른 공정 속도를 위해 1개의 레이저로 빔을 2개로 분기시켜서 사용하는 것으로 보임. 이를 통해
throughput 단점을 개선함.
-300um 두께의 웨이퍼는 한번에 커팅 가능한 출력
-Automatic height compensation within 10um: 레이저 소스에서 나오는 레이저 빔을 렌즈 등의 광학계를
사용해서 빔을 포커싱 시켜서 사용하는 데. 공정 중 Z축 포커스 위치에 변동이 생기면 치명적인 문제가
생길 수 있음. 이에 보상기술 적용하여 공정 중 높이 편차 10um를 유지 한다는 표현인 것으로 추정됨.
- 공정 중 Z축 위치에 변동이 생길 수 있는 이유에는 Stage 정렬 상태, 웨이퍼 Warpage등이 존재.
-레이저 광원 상태 감시, 공정결과물의 damage 측정 기술 등이 자동화 되어있는 것으로 보임.
-Stage 구동 속도: MAX 2 m/s (실제 공정속도가 초속 2m 로 사용된다면 빠른 것임.)
-위 설명 내용을 도식화 하면 아래와 같음.
-마찬가지로 유지관리비용과 속도가 빠름.
- 이오테크닉스의 장비 대당 ASP는 DISCO의 ASP보다 높은 것으로 추정됨
(아래 기사 내용으로 추정/레이저 디본더와 ASP차이가 크게 나지 않는다고 가정).
- 스피드는 더 빠르고 레이저 내재화로 인해 유지관리보수 비용은 더 저렴하다면 장비 ASP가 더 높아도 이오
테크닉스가 전체 Cost차원에서는 유리할 수 있음.
-경쟁사는 DISCO와 아크레텍(일본 장비)이라는 회사가 있음.
-DISCO는 뒤에서 다루고 아크레텍은 식각, 증착, 연마, 검사, 에칭등을 하는 일본 장비회사임.
-아크레텍은 여전히 삼성에 스텔스다이싱 장비를 납품하지 못하고 있는 것으로 파악됨. 스텔스
다이싱은 이오테크닉스가 유리한 국면으로 추정됨.
-스텔스다이싱은 주로 메모리향으로 노출도가 높음. NAND도 접합을 통한 고적층 roadmap에 의해 웨이퍼의
박막화는 필수이기 때문에 적용처가 확대되고 있음.
2-2-3. Laser Full-cut
- Target Device : NAND, DRAM, HBM etc
- Cutting 선폭이 10um이하임 (위 그림에서 Typical kerf width의 뜻).
-Target 두께는 50um
-> HBM3E 단계의 웨이퍼도 Laser Full Cut 두께 영역에 들어옴.
-웨이퍼 두께가 얇아지면 결국 레이저풀컷 시장이 열리는 것
-Die strength 우수함. 다이아몬드 휠 이던 레이저이던 절단면이 깨끗하지 못하면 crack으로 잘 깨짐. 한번에
레이저로 cutting하는 장비
-커팅하고 조명을 바닥에서 비추고 카메라로 위층에서 검사하는 시스템이 있는 특징이 있음(LED이용). 검사와
세정까지 같이 하는 시스템으로 추정.
[Ablation 장비의 앞으로 예상되는 적용처]
1)LLW(Low Latency Wide I/O) : 모바일 On Device AI의 주 메모리로 시장이 형성될 가능성
(갤럭시 S24에 사용된 것으로 알려짐)
On device AI는 Wide I/O 메모리의 사용처를 늘리고 Q 또한 늘릴 것이라고 시장은 예측 중.
경박단소로 인해 웨이퍼도 얇아져야 함.
2)BV NAND(Bonding Vertical NAND) : V-NAND에서 층수를 무한정 높일 수 없으니 웨이퍼 접합을 통해서
층수를 높이는 방향으로 가고 있음. 그러기 위해서는 역시나 개별 웨이퍼의 두께가 얇아져야 함. 먼 미래가
아니며 25년 출시 예정 NAND spec부터도 이 기술이 적용될 예정임.
삼성전자 1000단 로드맵과 SK하이닉스가 최근에 밝힌 400단 이상 낸드를 하기 위해 필요.
3)3D Dram : 디램도 낸드처럼 이제 고성능으로 갈려면 3D 형태로 쌓아야 함. 기존 평면 트랜지스터에서
기둥의 형태로 Vertical CAT으로 트랜지스터 Q를 확 늘릴 수 있음. 미세화의 한계로 수직으로 쌓고
ALD기술 등이 사용될 가능성 높음.
-아래처럼 커패시터를 없애거나 커패시터를 옆으로 눞이거나 에칭해서 3D Dram은 기술 개발 중
(각 IDM별로 특허를 보면 방식이 다름, 특히 전자와 마이크론이 다름)
-삼성전자는 셀을 눕혀서 적층하는 방식, 마이크론은 트랜지스터와 커패시터 모양을 변형하는 방식으로
진행 중인 것으로 알려짐.
-아래 그림처럼 3D DRAM으로 가게 되면 적층하면서 높이를 계속 두껍게 쌓아올리면 안됨. 결국 웨이퍼의
두께는 얇아져야 함 -> Laser full cut의 영역일 가능
-참고로 NEO Semiconductor라는 회사가 3D X-DRAM을 이미 세계최초로 출시했다고 알려져 있음
(2023년 4월, 커패시터가 없는 구조).
4)하이브리드 본딩 : HBM4, Heterogeneous integration 이종간 접합, 3D SOC등으로 인해 하이브리드
본딩에서도 적층은 키임. 이 영역에서도 Bump-less를 추구하는 등, 높이를 조절하고 적층 시 얇게 하는
것은 트랜디하게 지속될 것으로 전망 되고 있음.
-HBM4부터는 GPU위에 HBM을 쌓는 구조로 간다고 하더라도 웨이퍼는 더 얇아져야 할 가능성 높음.
이 영역은 레이저풀컷의 영역으로 추정됨.
2-2-4. Package Cutting
- 여기에도 극초단 펄스 레이저 사용으로 열피해 구역 최소화 명시.
- Package cutting은 과거 다이아몬드 휠 커팅으로 sawing하던 영역이었음. 주로 DISCO(하이엔드 위주)와
한미반도체(로우엔드 위주)가 Sawing했던 영역.
- 그러나, 이제 패키징 단계에서의 수율도 중요해졌기 때문에 crack이 안 생기게 깔끔하게 cutting하는 것이
요구됨. 패키징의 두께도 마찬가지로 얇아지고 있음.
-이오테크닉스의 Package cutting장비도 이전부터 있었던 장비지만, AI가 유발한 AVP의 급격한 성장에서
Package cutting도 레이저의 영역으로 들어가는 것이라고 파악됨.
- 패키징의 두께를 얇게 해줘야하는 조건은 Molding도 얇게 되어야 할거고, 웨이퍼 두께도 얇아져야 함.
이러한 트랜드에서 패키징 cutting에서도 레이저의 영역으로 진입되고 있다고 추정 가능(수율 보상).
-지금까지 말한 Wafer cutting과 헷갈릴 수 있음. 이오테크닉스는 주로 Wafer cutting을 다루지만 package
curtting은 또 하나의 개척 영역임.
-위 사진 내용을 보면 한번에 커팅이 가능하고 speed 또한 빠르다고 소개됨. WPH와 정확한 출력, 웨이퍼 커팅
두께는 소개되지 않음.
-정밀도와 출력을 자동으로 보상해주는 기술을 보유함.
-예상되는 영역은 On-device AI 영역이 가능할 것으로 생각됨. 또한 전장향으로도 Package cutting은 가능성
이 있음. 전장향은 최근 트랜드가 Embedded로 칩이 내장되는 경향이기 때문. EV화가 진행되는 전장영역에서
칩은 많아지고 칩간 간격은 좁아지기 때문에 내장되는 칩이 많아지면 얇아지고 경박단소가 진행되어야 함
2-3. Driller
-두가지 장비: PCB드릴러, 웨이퍼드릴러
-수평적 배선이 회로라면 수직 배선은 구리를 채운 구멍을 통해 연결되는데, 다층 PCB에 주로 사용되다 이제
칩의 고적층 시대가 개화하며 웨이퍼에도 구멍을 뚫어 수직으로 연결시킴 (기존에도 적층이 있었으나 와이어
선으로 연결함/Wire bonding).
-미세화가 진행되니 이제 구멍도 미세화 되야함(via hole size가 작아져야 한다는 의미). 그러다 보니 그동안
반도체 공정에 사용되는 노광, 식각 공정이 그대로 사용이 됨. 비용과 시간이 많이 들어가며
환경 오염 문제도 있음.
-이오테크닉스가 미세 구멍을 주변부 열적 피해 없이 뚫는 장비 개발함.
-드릴러 장비도 앞에서 이야기한 레이저를 다루는 근본 기술에 결국 파생되는 장비라고 볼 수 있음
(UV, DPSS고체레이저, 펨토초/피코초). 물론 PCB는 CO2레이저 사용 중
-드릴러 장비는
1) 극초단 레이저
2) 생산성(속도)
3) 정확성
4) 적은 Hole과 Hole간 간격
4가지가 동시에 충족되어야 하는 장비임. 특히 반도체 영역에서는 더욱 중요시 되는 것들임.
2-3-1. PCB Driller
-4개의 Head를 통해 속도 개선
-정확성이 높고 지난 수십년의 기간 동안 PCB영역에서 신뢰도가 높은 장비임
-Align과 Vision 검사가 내장되어 있는 장비임
-다양한 패턴으로 드릴링을 하고 마킹할 수 있은 장비임.
-PCB에서 드릴러는 장비 중 20% 정도의 비중을 차지하는 가장 큰 영역임. 기판의 호황이 오면 PCB드릴러도
좋아지는 분야임.
2-3-2. Wafer Driller
-앞으로가 기대되는 반도체용 UV드릴러임. 이 장비가 양산되면 게임체인저로 작동(사실 이 장비는 분석에서
크게 중요도를 우선 부여하지도 않고 개인적으로 밸류에이션에 포함도 안함. 나머지 장비들이 워낙
가시적이고 성장성이 크기 때문임)
-6um 이하의 정확도를 가진 드릴링이 가능함 (6um이하이고 과거 이오테크닉스 IR에서 5um이하까지 언급)
-Hole size tolerance는 5um이하로 가능. 극소구경 드릴 요구사항이 10um인데 훨씬 적은 사이즈임.
-웨이퍼 사이즈 6,8,12인치 모두 적용 가능함.
-Auto로 스캔과 계산이 모두 가능함.
-현재 인터포져를 웨이퍼로 하기도 하기 때문에 UV드릴러는 시장이 열리길 기다리며 지속 테스트 중인
것으로 추정됨.
-TGV(Glass Via)또한 이오테크닉스가 개척하고 있는 영역임. Glass substrate영역도 대응 가능.
-미쓰비시(일본), 스미토모의 자회사 등이 경쟁력을 보유하고 있는 영역임. 미쓰비시도 UV드릴은 대응이 잘 안
되는 상황인 것으로 보임. 북미와 중국지역에서 다수의 업체들이 시도하고 있는 영역이지만 레이저 드릴
링 기술을 수직 계열화 하여 모두 보유하고 있는 회사가 없음. 이오테크닉스가 UV드릴러 시장에서 레이저와
드릴링 기술을 통해 경쟁력을 확보한 것으로 개인적으로 추정함.
-이 UV드릴러도 결국 극초단 레이저 기술로 진출하는 부분이기 때문에 근본 레이저 기술이 핵심임.
-인텔을 포함한 다수의 글로벌 기업들과 테스트를 지속해 왔음.
- 위에 장비가 세미콘에 나온 것을 보면 적어도 양산준비 중인 장비일테고, 쓰여진 스펙을 보면
기술적으로는 문제 없을것으로 보임.
-인텔의 Ferveros Direct가 진행되는 속도가 중요할 것으로 판단됨.
-인텔의 AVP인 Foveros와 Foveros Direct의 차이점은 아래 유투브 영상을 보면 이해하기 쉬움.
-추가적으로 드릴링은 인터포져, RDL배선층에도 사용이 가능함. 마찬가지로 HBM TSV용으로도 지속 개발 중
인것으로 추정됨
2-4. Debonder
디본더 장비
-반도체 공정 중에는 웨이퍼를 이송하기 위해 캐리어 웨이퍼라는 것에 웨이퍼를 붙여서 이동도 하고 공정을
진행하기도 함. 이때 붙였던 웨이퍼를 떼어낼때 레이저를 사용하는 레이저 디본더 장비임.
-글라스캐리어는 필름이 아니라 말 그대로 유리임. 필름은 열이 가해지면 위치가 흔들리고 밀려나는 현상이
생기지만, 글라스는 상대적으로 자유로움.
-과거 글라스캐리어는 고성능 반도체에서 요구되는 경우 사용되었지 사용범위가 빠르게 확장되지는 않았음.
이제 이 부분이 주목받으며 성장하는 시기에 오게 되었고, 이때 이오테크닉스의 레이저 디본더가 요구된 것으
로 추정됨.
-이때 쓰는 레이저도 UV DPSS 고체레이저로 추정됨.
-최근 기사(더벨)에 나온 것과 같이 일본의 타츠모를 제치고 이오테크닉스는 TSMC향으로 장비를 초도물량
납품함. 앞으로 캐리어웨이퍼의 사용량이 증대됨에 따라 디본더 수요는 늘어날 것으로 추정.
-반복적으로 이야기 하지만 이오테크닉스의 레이저 기술이 인정 받으면서 일어나는 도미노 현상임
-근본의 레이저 다루는 기술이 있다면 다른 장비들은 약간의 응용영역임을 알 수 있음.
-Ablation 장비와는 많이 다르지만 이오테크닉스의 전반적인 레이저 기술이 그것도 TSMC에서 인정
받았다는 것에 의미가 매우 큼.
-디본더는 반도체 공정 필수 장비로 이오테크닉싀 매출액 확장에 큰 역할을 할것으로 보임. 장비 ASP는 대당
약 15-20억으로 추정(더벨 기사 참조)
-성장성이 큰 분야로 판단됨. 또 다른 Cashcow가 될 가능성 존재함.
지금까지 쎄미콘에 소개된 이오테크닉스의 장비들을 간략히 살펴 보았음.
다음에는 반도체 공정의 변화 과정에서 이오테크닉스에 직접적인 수혜 영역에 대해 살펴보겠음.
끝.
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