9월 29일에 있었던 인텔 이노베이션 2023에서 CEO인 펫 겔싱어가 특별한 웨이퍼를 들고 등장했다.

 

바로 차세대 반도체 패키징에 사용되는 글라스 기판 (유리 기판) 웨이퍼다.

 

 

기존 반도체 웨이퍼는 바이든 대통령이 들고 있는 것과 같은 실리콘으로 만들어지고, 여기서 생산된 칩이 플라스틱 기판 위에 실장 되어 완성 칩으로 만들어진다.

 

인텔이 올해 5월에 있던 아시아-태평양 회의에서 글라스 기판을 도입하겠다고 처음 밝혔고 도입 시기를 원래는 2025~2030년으로 예상했는데 이번 인텔 이노베이션 2023에서 그 논조가 좀 더 강해져 2025년부터 도입을 시작한다고 한다.

 

AI의 확산으로 인한 AI 반도체 시대, 그로 인한 HBM 발전기가 현재 반도체 시장의 가장 큰 화두이고, 이를 배경으로 차세대 반도체 패키징인 유리 기판 패키징의 도입이 당겨진 것이다.

 

이런 흐름을 이해하기 위해서는 반도체의 미세화와 패키징의 발전 과정, 그 흐름을 제대로 이해해야 한다.

 

ASML의 EUV가 도입된 배경을 생각해 보자, 반도체의 핵심은 성능과 생산성이다.

 

반도체 업계는 칩의 성능은 상승시키면서 생산단가를 줄여야 하는 어려운 논제에 직면한다.

 

출처: 미래에셋증권

2016년 나온 미래에셋증권의 리포트를 보면 당시의 반도체 산업에 대해서 알 수 있다.

 

쿼드러플 패터닝으로는 비용의 증가 때문에 EUV를 도입해야 한다는 주장이다.

반도체 칩의 성능이 상승할수록 반도체 웨이퍼에 그려 넣어야 하는 반도체 회로의 수가 증가, 하지만 웨이퍼의 크기는 한정적이고, 그 안에 많은 회로를 그려 넣어야 하면 필연적으로 더 얇게 회로를 그려야 하는데 이것이 DUV로는 쿼트러플 패터닝으로 가능했지만 EUV로는 한 번에 가능했기에 성능과 비용을 모두 잡은 장비였다.

 

결국 돌이켜 보면 EUV의 도입은 성공적이었고, 2023년 현재 3나노미터까지 반도체를 만드는 데 성공해냈다.

 

하지만 3나노에 들어서 기존 EUV로는 더 미세화로 나아가기 힘들어져 반도체의 성능을 향상시키기 위해 패키징의 중요성이 강조되고 있다.